摘要 (Abstract) ：

在人工智能飞速发展的背景下，信息存取速度决定算力上限，而非易失存储技术则是实现超低功耗的关键。信息的非易失存取速度极限已然成为集成电路领域最为关键的基础科学问题。目前易失性存储（断电后数据会丢失）速度接近计算，代表了当今信息存取速度的最高水平。与之相比，以闪存（flash）为代表的非易失性存储虽然具备极低功耗优势，其电场辅助编程速度却远低于晶体管开关。本报告重点介绍通过二维半导体将电荷非易失存储速度提升至晶体管开关水平，重新定义现有存储技术边界；报告进一步讨论如何攻克新型二维信息器件工程化难题，实现二维-硅基混合架构闪存芯片。