学术活动
凝聚态

宽禁带半导体器件可靠性研究进展

凝聚态物理—6163银河线路检测中心论坛 2026年第 6期(No.647  since 2001)



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主讲人: 郑雪峰 教授 (西安电子科技大学)
地点: 物理大楼中212报告厅
时间: 2026年4月9日(周四)下午3:00-4:30
主持 联系人: 许福军 fjxu@pku.edu.cn
主讲人简介: 郑雪峰,西安电子科技大学二级教授,博士研究生导师,国家级高层次计划人才入选者,微电子学院院长兼集成电路学部副主任。研究领域包括宽禁带和超宽禁带半导体器件、可靠性评估、空间辐射效应及热管理等。主持和参与国家重点研发计划课题、国家自然科学基金重点/面上/青年项目、国家科技重大专项等。获国家科技进步一等奖2项,省部级一等奖5项。在Applied Physics Letters, IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters、IEDM等国际国内期刊上发表论文100余篇,出版专著/译著2本,授权国际国内发明专利80余项。

摘要 (Abstract)

以氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有独特的优势,使得氮化镓基电子器件在高频率、大功率电子领域有着广泛的应用前景。到目前为止,氮化镓电子器件在通信、电源等领域获得了广泛的应用。本报告将介绍氮化镓等器件可靠性领域所面临的主要问题及其研究进展。具体包括器件在电、热、空间辐射等应力下的退化现象与机理,结合新型缺陷表征方法,探索其失效机制。