摘要 (Abstract) ：

三族氮化物半导体（group III-Nitrides），包括GaN，AlN，InN及其合金材料，由于它们是直接带隙半导体且禁带宽度可以从0.6 eV连续可调至6.2 eV，是制备光电子器件（LED，激光器，探测器等）的理想材料之一，工况模式下器件的光谱工作范围可以覆盖整个从深紫外200 nm到近红外波段。其中，基于AlGaN/GaN异质结的紫外光电子器件，由于其工作波长短，且光子能量相较于可将光具有更高的能量，在日盲光通信，智能光成像与探测领域中扮演着重要的角色。本次报告将围绕氮化镓基新型紫外光电子器件物理、集成与智能芯片研发，提出了一系列氮化镓基光电集成芯片新架构（新型场效应调控三电极光电集成二极管、超高响应度类雪崩光电晶体管、垂直单片集成与级联二极管架构等），并展示了它们在高速日盲光通信、微型紫外光谱仪和光谱成像芯片、雪崩探测及感存算一体成像芯片中的创新应用。